Engineering Diary

Dry Etch 장치 구성 요소PUMP, RF GENERATOR, CHILLER, PROCESS CHAMBER, GAS BOX, MAIN CONTROLLERPlasma 플라즈마고체, 액체, 기체도 아닌 "물질의 제 4상태"* 기체 상태에서 고온 또는 고전압의 에너지를 가하면 이온과 자유전자, 라디칼* 즉, 강력한 전기장 or 열원으로 전자, 중성입자, 이온이 나누어짐* 전하 분리도가 높음, 전체 음과 양의 전하수가 같아 중성 --> 어떤 원소든 플라즈마화* 전자기장으로 가두거나 특정 방향으로 가속시킬 수 있음RF Generator : 13.56MHz * 반도체 CVD Etcher 의 Main 전원으로서 Chamber 내에 플라즈마 형성* 13.56MHz 경우 파장 특성상 안전성이 좋아 공정용에 적합* 최..

반도체?도체의 특성을 반만 가진 것전기 전도도가 도체와 부도체의 중간이 되는 물질--> 조건에 따라서 전기를 흐르고 흐르지 않게 할 수 있음물질 별 에너지 밴드( 에너지 띠 ) 에너지 갭 : 전자가 이동할 수 있는 힘 | 가전자대에서 전도대로 이동해야 전기 흐름부도체 : 에너지 갭 매우 큼, 전자이동 힘듦 --> 전기가 잘 흐르지 않는 성질도체 : 가전자대와 전도대가 중첩 --> 전자가 잘 흐르고 있는 성질반도체 : 부도체 만큼 에너지갭이 크지는 않지만 도체같이 중첩이 되지 않음--> 일정 이상의 에너지를 가지게 되면 전기가 흐를 수 있는 상태로 가게 됨반도체의 종류- 비메모리 반도체 = 시스템 반도체 계산과 추론 등 정보를 처리하는 기능- 메모리 반도체정보 처리 보다는 정보를 저장하는 기능메모리 반도체..