- Dry Etch 장치 구성 요소
PUMP, RF GENERATOR, CHILLER, PROCESS CHAMBER, GAS BOX, MAIN CONTROLLER
- Plasma 플라즈마
고체, 액체, 기체도 아닌 "물질의 제 4상태"
* 기체 상태에서 고온 또는 고전압의 에너지를 가하면 이온과 자유전자, 라디칼
* 즉, 강력한 전기장 or 열원으로 전자, 중성입자, 이온이 나누어짐
* 전하 분리도가 높음, 전체 음과 양의 전하수가 같아 중성 --> 어떤 원소든 플라즈마화
* 전자기장으로 가두거나 특정 방향으로 가속시킬 수 있음 - RF Generator : 13.56MHz
* 반도체 CVD Etcher 의 Main 전원으로서 Chamber 내에 플라즈마 형성
* 13.56MHz 경우 파장 특성상 안전성이 좋아 공정용에 적합
* 최근에는 패턴미세화, 3D구조로 복잡한 공정 --> 여러 주파수 이용하는 추세
--> 수율 증대를 위해 반사파 최소화 - Cassette & Robot
- Vacuum System
- Etch 종류와 특징
* Etch 공정 단계
* Etch 식각 방식 별 특징 비교
구성요소 | 습식 | 건식 - RIE가 대표적 장치 RIE : Reactive Ion Etch |
방법 | 화학적 반응 - 용액 | 물리 화학적 반응 - 가스 |
장점 | 저비용 빠른속도 공정단순 |
높은 정확도 미세 패터닝 기능 |
단점 | 낮은 정확도 화학물질 오염 우려 PR 하부 일부 식각 |
고비용 느린 속도 공정 복잡성 |
* 건식 식각의 분류
* DC 플라즈마 방식 : 양극과 음극, 그 사이 가스와 전압을 이용해 플라즈마 발생
* RF 플라즈마 방식 : +,- 전압의 주기적 변화 RF 특성 이용
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