Dry Etch 장치 구성 요소PUMP, RF GENERATOR, CHILLER, PROCESS CHAMBER, GAS BOX, MAIN CONTROLLERPlasma 플라즈마고체, 액체, 기체도 아닌 "물질의 제 4상태"* 기체 상태에서 고온 또는 고전압의 에너지를 가하면 이온과 자유전자, 라디칼* 즉, 강력한 전기장 or 열원으로 전자, 중성입자, 이온이 나누어짐* 전하 분리도가 높음, 전체 음과 양의 전하수가 같아 중성 --> 어떤 원소든 플라즈마화* 전자기장으로 가두거나 특정 방향으로 가속시킬 수 있음RF Generator : 13.56MHz * 반도체 CVD Etcher 의 Main 전원으로서 Chamber 내에 플라즈마 형성* 13.56MHz 경우 파장 특성상 안전성이 좋아 공정용에 적합* 최..
