Engineering Diary

TEST 공정 종류1) Probe Station : Wafer상태에서 칩 정상여부 검사* FAB 과 Package 공정 중간에 진행2) Package Test : 반도체 전후공정 후, 최종단계 Package 정상 작동 평가, 번인테스터 사용3) Module Test : PCB 반도체 소자가 여러 개 장착되어있는 모듈 사이 제대로 작동하는지 검사Wafer(EDS) TEST 공정과 수율 관계Yield (수율)  = (실제 생산된 정산 칩 수 / 설계된 최대 칩 수) * 100Clean Room 청정도, 공정장비 정확도, 공정 조건 고려Wafer(EDS) TEST 공정 수율 항상 조건Wafer Test : Wafer 완성 단계에서 이루어짐Package Test : 패키지 상태에서 이루어짐품질 Test : 소비..

목적 : 반도체 공정에서 발생하는 오염을 제거하는데 사용* 오염 종류 : Particle(Pattern Defect), Metal(MOSFET 불량), Chemical(CVD 두께 불량)* 포토 공정 후 남은 PR (감광액) 찌꺼기* 식각 공정 시 제거되지 않은 산화막대표적인 장비 : Wet station | Cleaning 장비 세정 공정을 담당크게 Acid Wet Station 과 Solvent Wet Station 으로 나뉨* Solvent용은 재질이 메탈* Wet Station : 전면구조(작업공간) - 터치스크린, 파워 스위치, 후면구조(배출공간)* 내부구조 : HF, SPM, SPM(PR), QDR(Bubble), QDR, QDR방식 : 습식, 건식, 증기* 복합적인 매트릭스를 구성하여 잔류물..

Dry Etch 장치 구성 요소PUMP, RF GENERATOR, CHILLER, PROCESS CHAMBER, GAS BOX, MAIN CONTROLLERPlasma 플라즈마고체, 액체, 기체도 아닌 "물질의 제 4상태"* 기체 상태에서 고온 또는 고전압의 에너지를 가하면 이온과 자유전자, 라디칼* 즉, 강력한 전기장 or 열원으로 전자, 중성입자, 이온이 나누어짐* 전하 분리도가 높음, 전체 음과 양의 전하수가 같아 중성 --> 어떤 원소든 플라즈마화* 전자기장으로 가두거나 특정 방향으로 가속시킬 수 있음RF Generator : 13.56MHz * 반도체 CVD Etcher 의 Main 전원으로서 Chamber 내에 플라즈마 형성* 13.56MHz 경우 파장 특성상 안전성이 좋아 공정용에 적합* 최..

집적회로 만드는 과정 (IC, Integrated Circuit)1. 설계 --> 2. FAB 공정 : 전공정 --> 3. Packaging : 후 공정* 설계 : 반도체 미세회로 설계* 전 공정 : 반도체 미세회로 제조* 후 공정 : Wire Bonding, TSV 배선공정, 보호막 등반도체 8대 공정1. Wafer 제조 --> 2. 산화막 형성 --> 3. Photo 공정 --> 4. Etching 공정 --> 5. 박막증착 (CVD, PVD) --> 6. 금속막(배선) --> 7. 측정 --> 8. 패키지Photo Lithography 공정노광 장비의 정의노광 (Stepper Exposure) : Reticle (Mask) 에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 그리는 공정회로패턴이 담긴 마스크에 빛을 ..