Dry Etch 장치 구성 요소 PUMP, RF GENERATOR, CHILLER, PROCESS CHAMBER, GAS BOX, MAIN CONTROLLER
출처 : 한국기술교육대학교 온라인평생교육원
Plasma 플라즈마 고체, 액체, 기체도 아닌 "물질의 제 4상태" * 기체 상태에서 고온 또는 고전압의 에너지를 가하면 이온과 자유전자, 라디칼 * 즉, 강력한 전기장 or 열원으로 전자, 중성입자, 이온이 나누어짐 * 전하 분리도가 높음, 전체 음과 양의 전하수가 같아 중성 --> 어떤 원소든 플라즈마화 * 전자기장으로 가두거나 특정 방향으로 가속시킬 수 있음
RF Generator : 13.56MHz * 반도체 CVD Etcher 의 Main 전원으로서 Chamber 내에 플라즈마 형성 * 13.56MHz 경우 파장 특성상 안전성이 좋아 공정용에 적합 * 최근에는 패턴미세화, 3D구조로 복잡한 공정 --> 여러 주파수 이용하는 추세 --> 수율 증대를 위해 반사파 최소화
Cassette & Robot
출처 : 한국기술교육대학교 온라인평생교육원
Vacuum System
출처 : 한국기술교육대학교 온라인평생교육원
Etch 종류와 특징 * Etch 공정 단계 출처 : LG 디스플레이 뉴스룸* Etch 식각 방식 별 특징 비교
구성요소
습식
건식 - RIE가 대표적 장치 RIE : Reactive Ion Etch
방법
화학적 반응 - 용액
물리 화학적 반응 - 가스
장점
저비용 빠른속도 공정단순
높은 정확도 미세 패터닝 기능
단점
낮은 정확도 화학물질 오염 우려 PR 하부 일부 식각
고비용 느린 속도 공정 복잡성
* 건식 식각의 분류 * DC 플라즈마 방식 : 양극과 음극, 그 사이 가스와 전압을 이용해 플라즈마 발생 * RF 플라즈마 방식 : +,- 전압의 주기적 변화 RF 특성 이용
